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    CY15B108QI/CY15V108QI數據手冊
    時間:2020-12-14 19:43:15

    CY15B108QI、CY15V108QI Excelon™-LP 8 Mbit (1024K × 8)串行(SPI) F-RAM


    功能描述

    Excelon-LP CY15X108QI是采用了高級鐵電工藝的低功耗8 Mbit非易失性存儲器。鐵電性隨機存取存儲器 (即 F-RAM)是一種非易失性存儲器,它跟 RAM 一樣,能夠執行讀和寫操作。它提供 151 年的可靠數據保留時間,並解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器造成的複雜性、開銷和係統級可靠性的問題。與串行閃存和 EEPROM 不同的是,CY15X108QI 以總線速度執行寫操作。並且不引起寫操作的延遲。在每個字節成功傳輸到器件後,數據立即被寫入到存儲器陣列內。這時,可以開始執行下一個總線周期而不需要輪詢數據。此外,與其他非易失性存儲器相比,該產品提供了更多的寫入耐久性。CY15X108QI 能夠提供1014 次的讀 / 寫周期,或支持比 EEPROM 多 1 億次的寫周期。由於具有這些特性,因此 CY15X108QI 非常適用於需要頻繁或快速寫操作的非易失性存儲器應用。示例的範圍包括從數據收集(其中寫周期數量是非常重要的)到滿足工業控製 (其中串行閃存或 EEPROM 的較長寫時間會使數據丟失)。作為直接替代硬件,CY15X108QI 為串行 EEPROM 或 Flash 的用戶提供極大好處。CY15X108QI 使用高速的 SPI 總線,從而可以改進 F-RAM 技術的高速寫入能力。該器件包含一個隻讀的器件 ID 和唯一 ID 特性,通過它們,主機可以確定器件的製造商、產品容量、產品版本和唯一 ID。該器件還提供可寫的 8 字節序列號的寄存器,這些寄存器可用於識別特定電路板或係統。

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    性能

    ■ 8 Mbit 鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)被邏輯組織為 1024K × 8

    ❐ 提供了一百萬億次(1014)的讀 / 寫周期,幾乎為無限次數的耐久性。

    ❐ 151 年數據保留時間 (見第 19 頁上的數據保留時間與耐久性)

    ❐ NoDelay™ 寫操作

    ❐ 高級高可靠性的鐵電工藝

    ■ 快速串行外設接口 (SPI)

    ❐ 工作頻率高達 20 MHz

    ❐ 支持 SPI 模式 0 (0,0)和模式 3 (1,1)

    ■ 精密的寫入保護方案

    ❐ 使用寫保護 (WP)引腳提供硬件保護

    ❐ 使用寫禁用 (WRDI)指令提供軟件保護

    ❐ 可對 1/4、 1/2 或整個陣列進行軟件模塊保護

    ■ 器件 ID 和序列號

    ❐ 製造商 ID 和產品 ID

    ❐ 器件的唯一 ID

    ❐ 序列號

    ■ 專用 256 字節特殊扇區 F-RAM

    ❐ 專用特殊扇區寫和讀操作

    ❐ 存儲的內容可以在最多 3 個標準回流焊周期內保持不變

    ■ 低功耗

    ❐ 頻率為 20 MHz 時,有效電流為 1.3 mA (典型值)

    ❐ 待機電流為 3.0 A (典型值)

    ❐ 深度掉電模式電流為 0.90 A (典型值)

    ❐ 休眠模式電流為 0.1 A (典型值)

    ❐ 上電時,電湧為 1.6 mA (典型值)

    ■ 低電壓操作

    ❐ CY15V108QI:VDD = 1.71 V 到 1.89 V

    ❐ CY15B108QI:VDD = 1.8 V 到 3.6 V

    ■ 商業級和工業級工作溫度

    ❐ 商業級工作溫度:0 °C 到 +70 °C

    ❐ 工業工作溫度範圍:–40 °C 至 +85 °C

    ■ 8 pin 網格陣列四方扁平無引線 (GQFN)封裝

    ■ 符合有害物質限製標準 (RoHS)

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