Excelon™-LP 4 Mbit(512K × 8)串行(SPI)F-RAM CY15B104QN/CY15V104QN
功能描述
Excelon-LP CY15X104QN 是采用了高級鐵電工藝的低功耗 4 Mbit非易失性存儲器。鐵電性隨機存取存儲器(即 F-RAM)是一種非易失性存儲器,它跟 RAM 一樣,能夠執行讀和寫操作。它提供 151年的可靠數據保留時間,並解決了由串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器造成的複雜性、開銷和係統級可靠性的問題。與串行閃存和 EEPROM 不同的是,CY15X104QN 以總線速度執行寫操作。並且不引起寫操作的延遲。在每個字節成功傳輸到器件後,數據立即被寫入到存儲器陣列內。這時,可以開始執行下一個總線周期而不需要輪詢數據。此外,與其他非易失性存儲器相比,該產品提供了更多的寫入耐久性。 CY15X104QN 能夠提供 1014 次的讀 / 寫周期,或支持比 EEPROM 多 1 億次的寫周期。由於具有這些特性,因此 CY15X104QN 非常適用於需要頻繁或快速寫操作的非易失性存儲器應用。示例的範圍包括從數據收集(其中寫周期數量是非常重要的)到工業控製需求 (其中串行閃存或 EEPROM 的較長寫時間會使數據丟失)。作為硬件替代時,CY15X104QN 為串行 EEPROM 或 Flash 的用戶提供極大好處。 CY15X104QN 使用高速的 SPI 總線,從而可以改進 F-RAM 技術的高速寫入能力。該器件包含一個隻讀的器件 ID 和唯一 ID 特性,通過它們,主機可以確定器件的製造商、產品容量、產品版本和唯一 ID。該器件還提供可寫的 8 字節序列號的寄存器,這些寄存器可用於識別特定電路板或係統。
性能
■ 4 Mbit 鐵電性隨機存取存儲器 (F-RAM)的邏輯組織方式為512K x 8
❐ 提供了一百萬億次 (1014)的讀 / 寫周期,幾乎為無限次數的耐久性。
❐ 151 年數據保留時間 (見第 20 頁上的數據保留時間與耐久性)
❐ NoDelay™ 寫操作
❐ 高級高可靠性的鐵電工藝
■ 快速串行外設接口 (SPI)
❐ 高達 50 MHz 的頻率
❐ 支持 SPI 模式 0 (0,0)和模式 3 (1,1)
■ 精密的寫入保護方案
❐ 使用寫保護 (WP)引腳提供硬件保護
❐ 使用寫禁用 (WRDI)指令提供軟件保護
❐ 可對 1/4、 1/2 或整個陣列進行軟件模塊保護
■ 器件 ID 和序列號
❐ 器件 ID 包含製造商 ID 和產品 ID
❐ 唯一 ID
❐ 序列號
■ 專用 256 字節特殊扇區 F-RAM
❐ 專用特殊扇區寫和讀操作
❐ 存儲的內容可以在最多 3 個標準回流焊周期內保持不變
■ 低功耗
❐ 頻率為 40 MHz 時,工作電流為 2.4 mA (典型值)
❐ 待機電流為 2.3 A (典型值)
❐ 深度掉電模式電流為 0.70 A (典型值)
❐ 休眠模式電流為 0.1 A (典型值)
■ 低電壓操作
❐ CY15V104QN:VDD = 1.71 V 到 1.89 V
❐ CY15B104QN:VDD = 1.8 V 到 3.6 V
■ 商業級和工業級工作溫度
❐ 商業級工作溫度:0 °C 到 +70 °C
❐ 工業工作溫度範圍:–40 °C 至 +85 °C
■ 封裝類型
❐ 8 pin 小型塑封集成電路 (SOIC)封裝
❐ 8 pin 網格陣列四方扁平無引線 (GQFN)封裝
■ 符合有害物質限製標準 (RoHS)