CY15B102QSN/CY15V102QSN，Excelon-Ultra 2-Mbit (256K × 8) Quad SPI F-RAM

功能說明

Excelon-Ultra CY15X102QSN 采用了高級鐵電工藝的高性能 2Mbit 非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器 （即 F-RAM）與RAM 相同，是執行讀和寫操作的易失性存儲器。它提供 151 年的可靠數據保留時間，並解決了由串行閃存和其他非易失性存儲器造成的複雜性、開銷和係統級可靠性的問題。與串行閃存不同的是，CY15X102QSN 以總線速度執行寫操作。並且不引起寫操作的延遲。在每個字節成功傳輸到器件後，數據立即被寫入到存儲器陣列內。這時，可以開始執行下一個總線周期而不需要輪詢數據。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產品提供了更多的擦寫次數。 CY15X102QSN 能夠提供 1014 次的讀 / 寫周期，或支持比 EEPROM 多 1 億次的寫周期。由於具有這些特性，因此 CY15x104QSN 非常適用於需要頻繁或快速寫操作的非易失性存儲器應用。示例的範圍包括從數據收集（其中寫周期數量是非常重要的）到滿足工業級控製（其中串行 Flash 的較長寫時間會使數據丟失）。

CY15X102QSN 將 2 Mbit F-RAM 與高速度四線 SPI（QPI）SDR和 DDR 接口相結合，從而增強 F-RAM 技術的非易失性寫入功能。該器件包含一個隻讀的器件 ID 和唯一 ID 特性，通過它們，SPI 總線主設備可以確定器件的製造商、產品容量、產品版本和唯一 ID。該器件包含一個唯一隻讀序列號，可用來識別某個電路板或係統。該器件支持片上 ECC 邏輯，可以在每個 8 字節數據單元內檢測和糾正單比特錯誤。該器件還包含在 8 字節數據單元中提供雙比特錯誤報告的擴展功能。 CY15X102QSN 還支持循環冗餘校驗（CRC），可用來校驗存儲器陣列中所存儲數據的完整性。

特性

■ 2 Mbit 鐵電隨機存取存儲器（F-RAM）被邏輯組織為 256K × 8

❐ 提供了 100 萬億次（1014）的讀 / 寫周期，幾乎為無限次數的耐久性。

❐ 151 年數據保留時間 （見數據保留時間與耐久性 on page 74）

❐ NoDelay™ 寫操作

❐ 高級高可靠性的鐵電工藝

■ 單和多 I/O SPI

❐ 串行總線接口 SPI 協議

❐ 支持 SPI 模式 0 （0， 0）和模式 3 （1， 1），適用於所有SDR 模式轉換

❐ 支持 SPI 模式 0 （0， 0），適用於所有 DDR 模式轉換

❐ 擴展型 I/O SPI 協議

❐ 雙線 SPI （DPI）協議

❐ 四線 SPI （QPI）協議

■ SPI 時鍾頻率

❐ 頻率高達 108MHz 的 SPI SDR

❐ 高達 54MHz 頻率的 SPI DDR

■ 芯片內執行 （XIP）模式下的存儲器讀 / 寫操作

■ 寫入保護，數據安全性，數據完整性

■ 使用寫保護 （WP）引腳提供硬件保護

■ 軟件模塊保護

■ 嵌入式 ECC 和 CRC 增強了數據完整性

❐ 檢測並糾正但比特錯誤的 ECC。在發生雙比特錯誤時，它將不糾正錯誤，但將通過 ECC 狀態寄存器進行錯誤報告

❐ CRC 將檢測原始數據的任意意外更改

■ 擴展的電子簽名

❐ 器件 ID 包含製造商 ID 和產品 ID

❐ 唯一 ID

❐ 用戶可編程序列號。

■ 專用 256 字節特殊扇區 F-RAM

❐ 專用特殊扇區寫和讀操作

❐ 內容可以在最多 3 個標準回流焊周期內保持不變

■ 高速度，低功耗

❐ SPI SDR 頻率為 108 MHz 時，有效電流為 10 mA（典型值）

❐ QSPI SDR 頻率為 108 MHz 並且 QSPI DDR 頻率為 54 MHz時，有效電流為 16 mA （典型值）

❐ 待機電流為 110 µA （典型值）

❐ 深度掉電模式電流為 0.80 µA （典型值）

❐ 休眠模式電流為 0.1 µA （典型值）

■ 低電壓操作：

❐ CY15V102QSN: VDD = 1.71 V 到 1.89 V

❐ CY15B102QSN: VDD = 1.8 V 到 3.6 V

■ 工作溫度範圍：–40 °C 到 +85 °C

■ 8 pin 小型塑封集成電路 （SOIC）封裝

■ 符合有害物質限製標準 （RoHS）

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