CY15B116QI, CY15V116QI是16 Mb EXCELON ™ LP 鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) ,串⾏ (SPI) 2048K × 8, 20 MHz, 電湧控製 , 商業級FRAM。
功能說明
EXCELON ™ LP CY15X116QI 是采用了高級鐵電工藝的低功耗 16 Mb ⾮易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器( 即 F-RAM) 是一種⾮易失性存儲器,它跟 RAM 一樣,能夠執⾏讀和寫操作。該存儲器提供 151 年的可靠數據保留時間,並解決了由串⾏閃存、EEPROM 和其它⾮易失性存儲器造成的複雜性、開銷和係統級可靠性的問題。
與串⾏閃存和 EEPROM 不同的是,CY15X116QI 以總線速度執⾏寫操作,並且不引起寫操作的延遲。在每個字節成功傳輸到器件後,數據立即被寫⼊到存儲器陣列內。這時,可以開始執⾏下一個總線周期⽽不需要輪詢數據。此外,與其它⾮易失性存儲器相比,該產品提供了更多的寫⼊次數。CY15X116QI 能夠提供1015 次的讀 / 寫周期,或支持比 EEPROM 多 10 億倍次的寫周期。
由於具有這些特性,因此 CY15X116QI ⾮常適用於需要頻繁或快速寫操作的⾮易失性存儲器應用。示例的範圍包括從數據收集 ( 其中寫周期數量是⾮常重要的 ) 到滿足工業控製 ( 其中串⾏閃存或 EEPROM 的較長寫時間會使數據丟失 )。
作為直接替代硬件時,CY15X116QI 為串⾏ EEPROM 或閃存的用⼾提供極大好處。CY15X116QI 使用高速的 SPI 總線,從⽽可以改進 F-RAM 技術的高速寫⼊能力。該器件包含一個隻讀的器件 ID 和唯一 ID 特性,通過它們,主機可以確定每個器件的製造商、產品容量、產品版本和唯一 ID。該器件還提供可寫的 8 字節序列號的寄存器,這些寄存器可用於識別特定電路板或係統。
性能
• 16 Mb 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 邏輯結構為 2048K × 8
- 提供了一千萬億次 (1015) 的讀 / 寫周期,幾乎為無限次數的耐久性
- 151 年數據保留時間 ( ⻅第 27 ⻚上的 " 數據保留時間與耐久性 ")
- 英⻜淩即時⾮易失性寫⼊技術
- 高可靠性的高級鐵電工藝
• 快速串⾏外設接口 (SPI)
- 頻率可高達 20 MHz
- 支持 SPI 模式 0 (0,0) 和模式 3 (1,1)
• 精密的寫⼊保護方案
- 使用寫保護 (WP) 引腳提供硬件保護
- 使用寫禁用 (WRDI) 指令提供軟件保護
- 可對 1/4、1/2 或整個陣列進⾏軟件模塊保護
• 器件 ID 和序列號
- 製造商 ID 和產品 ID
- 器件的唯一 ID
- 序列號
• 專用 256 字節特殊扇區 F-RAM
- 專用特殊扇區寫和讀操作
- 存儲的內容可以在多達 3 個標準回流焊周期內保持不變
• 低功耗
- 頻率為 20 MHz 時,有效電流為 1.50 mA ( 典型值 )
- 待機電流為 14 μA ( 典型值 )
- 深度掉電模式電流為 1.10 μA ( 典型值 )
- 休眠模式電流為 0.1 μA ( 典型值 )
- 上電時,電湧為 1.90 mA ( 典型值 )
• 低電壓操作
- CY15V116QI:VDD = 1.71 V 到 1.89 V
- CY15B116QI:VDD = 1.8 V 到 3.6 V
• 商業級工作溫度範圍:0 °C ~ +70 °C
• 24 ball 小間距 BGA (24-FBGA)
• 符合有害物質限製標準 (RoHS)